İçerde ve Dışarda, Soğutma Gücü |
 |
GIGABYTE
Ultra Durable ™ 5 anakartlar, Düşük Zararlar, Yüksek Verimlilik ve Mükemmel
Termal Yönetim ile endüstrinin en yüksek 60A gücü özelliğine sahip IR3550 PowIRstage ® IC kullanmaktadır.
|
|
 |
Düzenleme ve ambalajlama tüm güç yolları için tel bağlar yerine bakır bağlantıları kullanır, çınlama ve yüksek AC kayıplara neden olan yüksek elektriklenme gibi yüksek dirençli tel bağları da zararın azaltılmasını sağlar.
|
MOSFET’ler arasındaki güç bağlantıları kayıpları azaltmak ve ısıyı yaymak için oldukça düşük kayıplı bakır kullanır |
International Rectifier tarafından uzmanlaşmış MOSFET sürücüsü IC. |
Yüksek yan MOSFET (Kontrol FET) çok düşük geçitli yüke sahiptir. Düşük yan MOSFET (SyncFET) daha yüksek verimlilik için entegre bir Schottky Diode içerir.
|
Akım hem kontrol FET (Çalışma döngüsü AÇIK) veya Sync FET (Çalışma döngüsü KAPALI) ve bakır klip yoluyla cihazın altından çok kısa yollara sahiptir. Bu cihazın çok dayanıklı ve 60A güce dayanabilmesinin bir başka nedenidir.
|
Özel Bakır çerçeve ısıyı silikondan uzak tutar. |
|
|
Geleneksel İşlemci Güç Bölgesi Tasarımı |
PWM kontrolör |
MOSFET Sürücüler |
Geleneksel Yüksek ve
Düşük yan MOSFET'ler |
Bobin |
Kapasitör |
İşemci |
|
| |
İşlemci Güç Bölgesi Soru&Cevap
|
| |
İşlemci Güç Bölgesi Nedir?
İşlemci Güç Bölgesi işlemciye güç sağlamaktan sorumlu bir anakartın çeşitli bileşenlerini içerir. (PWM kontrolör, MOSFET Sürücüleri, yüksek ve düşük yan MOSFET'ler, Bobinler, Kapasitörler ve ilgili devreler)
MOSFET nedir?
MOSFET elektrik akımının işlemciye akmasına ilk izin veren veya izin vermeyen bir anahtar olmasından dolayı, işlemci güç bölgesinin en kritik bileşenlerinden biridir. Bu anahtar görevi, MOSFET sürücüsü ve PWM kontrolörü tarafından kontrol edilir. Aynı zamanda elektrik tasarımının en pahalı bileşenlerinden biridir.
Güç Aşaması nedir ?
Güç Aşaması bir MOSFET sürücü, 1 yüksek yan MOSFET ve 2 (veya bazen 1) Düşük Yan MOSFETler içeren bir yongadır. Güç Aşamaları daha ileri bir üretim süreci kullanılarak yapılır ve bu nedenle daha verimlidir.
Geleneksel MOSFET (D-Pak MOSFET olarak bilinen ...) nedir?
Geleneksel Bir MOSFET , MOSFET sürücülerin ve Yüksek ve Düşük Yan MOSFET'lerin her birinin ayrı yonga olduğu (çoklu-yonga MOSFET tasarımı) geleneksel bir işlemci güç bölgesinde kullanılan daha az gelişmiş bir MOSFET tasarımıdır. Bunlar tek yongalı Güç Aşamalarından daha az pahalı ve daha az verimlidir. |
|
|
| |
| |
| |
|
IR, ısı kapasitesini ve
PowIRstage düzenini iyileştirerek, DirectFET ® için geliştirilen dünya sınıfı
paketleme teknolojisini diğer MCM paketlerinin önemli ölçüde üzerine
çıkarmıştır. |
| |
Tek Ambalaj Tasarımı* |
vs. |
Çoklu-Yonga Tasarımı |
|
| |
Sürücü IC |
| |
|
*Patent İşlemleri Sürüyor |
|
|
|
Diğer MOSFET düzeni uygulamaları, önemli anakart taşınmazını ele alarak ve daha fazla elektrik kaçağı oluşturarak; yüksek- düşük yan MOSFET'lerin ve sürücü IC’nin çoklu-çip, yan-yana düzenlemesini kullanır. |
 |
Yüksek Yan MOSFET
(Geleneksel MOSFET) |
| |
Düşük Yan MOSFET
(Geleneksel MOSFET) |
| |
Sürücü IC
(MOSFET Sürücü) |
|
| |
|
|
| |
|
|
| |
| |
| |
| |
Tam Soğutma, Ultra Verimli, Ultra Performans |
Yüksek Verimlilik = Düşük Güç Kaybı = Daha az ısı = Daha uzun ömürlü |
| |
| |
IR’in IR3550 PowIRstage ® modeli daha fazla güç verimlidir ve daha uzun
bileşen ömrü ve daha yüksek overclock performansı için daha fazla baş odayla
neticelenerek rakip MOSFETlerden daha serin çalışır.
|
| |
Geleneksel MOSFET
Kıyaslama Örneği |
Düşük RDS(on) MOSFET
40°C 'ye kadar daha düşük |
IR3550 PowIRstage®
60°C'ye kadar daha düşük |
|
|
|
OK |
İyi |
En iyi |
|
| |
*Test sonucu sadece referans içindir. Sonuçlar sistem yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir.
* 60 derece sıcaklıklara kadar @ 100A gücünde
soğutucu olmadan 10 dakikalık laboratuar testlerinde 2x Bakır PCB ile 4 faz
IR3550 PowlStage, 4 faz D Pak MOSFET’e karşı kullanılarak elde edilmiştir. |
| |
| |
IR3550 PowIRstage ® IC’ler diğer MOSFET tasarımlardan
daha serin kalarak kullanıcıların daha yüksek seviyelerde overclock performansı
yapabilmelerini sağlar. Her güç bileşeni bir maksimum termal çalışma
sıcaklığına sahiptir, ve bir kere ulaştı mı daha fazla voltaj eklemek sadece
başarısız bir overclock ile sonuçlanacaktır. IR3550 PowIRstages ® geleneksel
tasarımlardan daha yüksek voltajlarda ve daha soğuk ısılarda çalışabildiklerinden
beri, overclock yapanlar yüksek hız aşırtma potansiyeli ile sonuçlanan, gerilimi
artırmak için daha fazla boş alana sahip olabiliyorlar.
|
Düşük ısı = Yüksek Hız Aşırtma |
MOSFET Hız Aşırtma İstikrarı |
|
Yüksek ısı |
Hız aşırtma için yetersiz güç |
|
|
 |
IR3550
PowIRstage® |
En iyi |
|
 |
Daha düşük RDS(açık)
MOSFET
(WPAK, PowerPAK MOSFET olarak da bilinir...) |
İyi |
|
 |
Geleneksel MOSFET
(D-Pak MOSFET olarak da bilinir... ) |
OK |
|
|
|
| |
İçerde ve Dışarda Kalite |
GIGABYTE Ultra Durable ™ anakartlarda kullanılan bir çok yüksek kaliteli bileşenler dışardan görünmüyor olsa da, emin olun ki daha iyi verimlilik, daha fazla güç tasarrufu, düşük sistem sıcaklıkları, daha iyi overclock performansı ve uzun uzun bir sistem ömrü sağlamak için çalışıyoruz. GIGABYTE Ultra Durable ™ garantisi budur.
|
|
PCB (Baskı Devre Kartı)
2x bakır PCB = 2 ons bakır PCB = bakır katmanın ağırlığı
30.48 cm x 30.48 cm (1 metrekare) PCB 56.7 g'dır.
|
Bakır Katman |
Kalınlık |
2x Bakır |
0.070mm (70 µm) |
1x Bakır |
0.035mm (35 µm) |
|
|
Yüksek Kapasiteli
Demir Alaşımlı Boğucu
Bobin |
|
Katı Kapasitör |
| |
|
Power Stage |
|
2x Bakır
Dahili Katman |
Sinyal Katmanı |
|
|
Güç Katmanı |
|
|
| |
|
|
Yeni Cam Yapıda |
|
|
Toprak Katmanı |
|
|
Sinyal Katmanı |
|
|
| |
|
|
| |
|
|
|
|
56,7 gr Bakır PCB Tasarımının Faydaları
|
|
Daha Düşük Sıcaklık |
Daha iyi
Hız aşırtma |
Daha iyi
Güç verimliliği |
2x Daha Az
Özdirenç |
Daha Az EMI
Paraziti |
Daha İyi ESD
Koruması |
|
| |
GIGABYTE'ın özel 2X Bakır PCB tasarımı normal güç yüklerini daha fazla işlemek ve kritik CPU güç dağıtımı alanından ısıyı uzaklaştırmak için bileşenler arasında elverişli güç dağıtım yolları sağlar. Bu, anakartın hızaşırtma durumu sırasında gerekli olan artan güç yüklemesinin üstesinden gelebilmesi için önemlidir. |
