İçerde ve Dışarda, Soğutma Gücü |
|
|
 |
GIGABYTE
Ultra Durable ™ 5 anakartlar, Düşük Zararlar, Yüksek Verimlilik ve Mükemmel
Termal Yönetim ile endüstrinin en yüksek 60A gücü özelliğine sahip IR3550 PowIRstage ® IC kullanmaktadır.
|
|
 |
Düzenleme ve ambalajlama tüm güç yolları için tel bağlar yerine bakır bağlantıları kullanır, çınlama ve yüksek AC kayıplara neden olan yüksek elektriklenme gibi yüksek dirençli tel bağları da zararın azaltılmasını sağlar.
|
MOSFET’ler arasındaki güç bağlantıları kayıpları azaltmak ve ısıyı yaymak için oldukça düşük kayıplı bakır kullanır |
International Rectifier tarafından uzmanlaşmış MOSFET sürücüsü IC. |
Yüksek yan MOSFET (Kontrol FET) çok düşük geçitli yüke sahiptir. Düşük yan MOSFET (SyncFET) daha yüksek verimlilik için entegre bir Schottky Diode içerir. |
Akım hem kontrol FET (Çalışma döngüsü AÇIK) veya Sync FET (Çalışma döngüsü KAPALI) ve bakır klip yoluyla cihazın altından çok kısa yollara sahiptir. Bu cihazın çok dayanıklı ve 60A güce dayanabilmesinin bir başka nedenidir. |
Özel Bakır çerçeve ısıyı silikondan uzak tutar. |
|
|
Geleneksel İşlemci Güç Bölgesi Tasarımı |

PWM kontrolör |
MOSFET Sürücüler |
Geleneksel Yüksek ve
Düşük yan MOSFET'ler |
Bobin |
Kapasitör |
İşemci |
|
|
İşlemci Güç Bölgesi Soru&Cevap
|
|
İşlemci Güç Bölgesi Nedir?
İşlemci Güç Bölgesi işlemciye güç sağlamaktan sorumlu bir anakartın çeşitli bileşenlerini içerir. (PWM kontrolör, MOSFET Sürücüleri, yüksek ve düşük yan MOSFET'ler, Bobinler, Kapasitörler ve ilgili devreler)
MOSFET nedir?
MOSFET elektrik akımının işlemciye akmasına ilk izin veren veya izin vermeyen bir anahtar olmasından dolayı, işlemci güç bölgesinin en kritik bileşenlerinden biridir. Bu anahtar görevi, MOSFET sürücüsü ve PWM kontrolörü tarafından kontrol edilir. Aynı zamanda elektrik tasarımının en pahalı bileşenlerinden biridir.
Güç Aşaması nedir ?
Güç Aşaması bir MOSFET sürücü, 1 yüksek yan MOSFET ve 2 (veya bazen 1) Düşük Yan MOSFETler içeren bir yongadır. Güç Aşamaları daha ileri bir üretim süreci kullanılarak yapılır ve bu nedenle daha verimlidir.
Geleneksel MOSFET (D-Pak MOSFET olarak bilinen ...) nedir?
Geleneksel Bir MOSFET , MOSFET sürücülerin ve Yüksek ve Düşük Yan MOSFET'lerin her birinin ayrı yonga olduğu (çoklu-yonga MOSFET tasarımı) geleneksel bir işlemci güç bölgesinde kullanılan daha az gelişmiş bir MOSFET tasarımıdır. Bunlar tek yongalı Güç Aşamalarından daha az pahalı ve daha az verimlidir. |
|
|
|
|
|
|
|
IR, ısı kapasitesini ve
PowIRstage düzenini iyileştirerek, DirectFET ® için geliştirilen dünya sınıfı
paketleme teknolojisini diğer MCM paketlerinin önemli ölçüde üzerine
çıkarmıştır.
|
|
Tek Ambalaj Tasarımı* |
vs. |
|
|
|
Sürücü IC |
|
|
* Patent İşlemleri Sürüyor |
|
|
|
Diğer MOSFET düzeni uygulamaları, önemli anakart taşınmazını ele alarak ve daha fazla elektrik kaçağı oluşturarak; yüksek- düşük yan MOSFET'lerin ve sürücü IC’nin çoklu-çip, yan-yana düzenlemesini kullanır. |
 |
Yüksek Yan MOSFET
(Geleneksel MOSFET) |
|
Düşük Yan MOSFET
(Geleneksel MOSFET) |
|
Sürücü IC
(MOSFET Sürücü) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Power Stage
(IR3550 PowIRstage® olarak da bilinir
) |
Düşük RDS(on) MOSFET (Ultra Durable™ 4 Tasarımı)
(WPAK, PowerPAK MOSFET olarak da bilinir...) |
|
|
8 pinler
(4 right, 4 left) |
|
Geleneksel Gerilim Besleyici Tasarımı (D-Pak MOSFET olarak da bilinir...) |
|
|
Nesneler arasındaki boyut oranı sabittir |
|
|
|
|
|
|
|
International Rectifier tarafından Geliştirilen Sürücü IC |
IR3550 PowIRstage ® IC'ler,
MOSFET çifti için mükemmel ayarlanmış bir uzman MOSFET sürücü IC bulundurmaktadır.
Birçok Sürücü MOSFET şirketleri sürücüleri diğer şirketlerden kullanır, böylece
sürücüler gerçekten MOSFETler için optimize edilmez. Yarı paketlenmiş Sürücü + MOSFET ile IR, bu
modülü optimize etmek için büyük verimlilik sağlayarak bu sürücüyü
tasarlamıştır. |
|
|
|
 |
|
IR3550 Güç Aşaması X-ray resmi |
|
IR3550 Güç Aşaması Dekapsulasyon resmi |
|
|
|
|
|
Tam Soğutma, Ultra Verimli, Ultra Performans |
Yüksek Verimlilik = Düşük Güç Kaybı = Daha az ısı = Daha uzun ömürlü |
|
|
IR’in IR3550 PowIRstage ® modeli daha fazla güç verimlidir ve daha uzun
bileşen ömrü ve daha yüksek overclock performansı için daha fazla baş odayla
neticelenerek rakip MOSFETlerden daha serin çalışır.
|
|
Geleneksel MOSFET
|
IR3550 PowIRstage®
|
|
|
|
|
|
|
|
|
*Test sonucu sadece referans içindir. Sonuçlar sistem yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir.
*4 phase IR3550 PowIRstage® with 2x Copper PCB vs. 4 phase traditional MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink. |
|
|
|
IR3550
PowIRstage ® IC'ler daha fazla güç verimliliğine sahiptir ve 60A kadar güç
verebilen endüstrinin en yüksek oy alan MOSFET’leridir. Bu, daha istikrarlı
çalışma ve daha iyi overclock performansı için, işlemciye en iyi güç iletimini
sağlar. |
|
16 Geleneksel MOSFET'ler Çalışırken
|
4 PowIRstage® ICs'ler Çalışırken |
|
|
|
|
|
|
 |
|
IR3550 PowIRstage ® IC'ler, operasyonda soldaki
16 geleneksel MOSFET’lerin yaptığı gibi,4 PowIRstage ® de sağda aynı iş yükünü
yapıyor olsa bile çok verimlidir, onların sıcaklığı hala 30 °C’ye kadar geleneksel
MOSFET tasarımından daha soğuktur. |
|
|
|
|
|
*Test sonucu sadece referans içindir. Sonuçlar sistem yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir.
Configuration: Intel Core™ i7-3770K CPU, Default CPU frequency (3.5GHz), 1.2V Vcore, Default BIOS setting, DDR3 1333MHz, 500W PSU, CPU water cooling with no MOSFET heatsink. Software: Microsoft Windows® 7 running Power Thermal Utility at 100% loading. |
|
IR3550 PowIRstage ® IC’ler diğer MOSFET tasarımlardan
daha serin kalarak kullanıcıların daha yüksek seviyelerde overclock performansı
yapabilmelerini sağlar. Her güç bileşeni bir maksimum termal çalışma
sıcaklığına sahiptir, ve bir kere ulaştı mı daha fazla voltaj eklemek sadece
başarısız bir overclock ile sonuçlanacaktır. IR3550 PowIRstages ® geleneksel
tasarımlardan daha yüksek voltajlarda ve daha soğuk ısılarda çalışabildiklerinden
beri, overclock yapanlar yüksek hız aşırtma potansiyeli ile sonuçlanan, gerilimi
artırmak için daha fazla boş alana sahip olabiliyorlar.
|
Düşük ısı = Yüksek Hız Aşırtma |
MOSFET Hız Aşırtma İstikrarı |
|
Yüksek ısı |
Hız aşırtma için yetersiz güç |
|
|
 |
IR3550 PowIRstage® |
En iyi |
|
 |
Lower RDS(on)
MOSFET
(WPAK, PowerPAK MOSFET olarak da bilinir...) |
İyi |
|
 |
Geleneksel MOSFET
(D-Pak MOSFET olarak da bilinir... ) |
OK |
|
|
|
|
|
|
|
Industry Leading Peak Efficiency up to 95%* |
|
 |
|
IR3550 PowIRstage® ICs are more efficient, with peak efficiency up to 95%, during normal operation.
Even at higher Current levels, IR3550 PowIRstage® ICs are able to maintain lower power losses. Lower power loss also means less heat as a byproduct.
|
|
|
|
*Test sonucu sadece referans içindir. Sonuçlar sistem yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir..
VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3, 400LFM havaakımı, soğutucu olmadan, 25°C ortam ısısı, ve 3.7" (L) x 2.6" (W) 8-katmanlı PCB. |
|
|
|
Current Typical MOSFET Designs
|
|
|
|
|
|
|
Power Stage
(IR3550 PowIRstage® olarak da bilinir
) |
Üst Düzey Maliyet |
|
En Yüksek Verimlilik
En Düşük Isı |
|
Düşük RDS(on) MOSFET
(WPAK, PowerPAK MOSFET olarak da bilinir...) |
Yüksek Maliyet |
|
Yüksek Verimlilik
Düşük Isı |
|
Geleneksel MOSFET
(D-Pak MOSFET olarak da bilinir...) |
Düşük Maliyet |
|
Düşük Verimlilik
Yüksek Isı |
|
|
|
|
|
|