Sektörün En Yüksek Kaliteli İşlemci Güç Tasarımı
Bugüne Kadarki En İyi Ultra Durable ™ Anakartlarımız
GIGABYTE, Yüksek Akım Kapasitesine Sahip bileşenlerini içeren; rekor kırabilir bir performans için işlemciye yüksek kalitede bir güç dağıtımı, soğuk ve verimli operasyon seçeneği ve uzatılmış anakart ömrü sağlayan en son Ultra Durable 5 teknolojisiyle anakartlarının kalite ve dayanıklılık çıtasını yükseltmeye devam ediyor.





GIGABYTE breaks Core i7 3770K OC World Record at 7102MHz with upcoming Z77X-UP7
 
IR3550 PowIRstage®
Sektörünün en beğenilen ve en çok Power Stage ödülü alanı
• Providing power delivery rated up to 60A, while maintaining cool operating temperatures.
• Perfect Match: GIGABYTE Ultra Durable™ 5 motherboards use both IR digital PWM
controllers and IR PowIRstage® ICs, for a uniquely seamless power delivery system.
• %95’e kadar Endüstri Lideri Zirve Verimliliği
 
 
Optimal CPU Power Design
2 Kat Daha Fazla Bakır PCB
Overclock ile ilişkili olağan dışı güç yüklerini kaldırabilmek için ve kritik CPU güç dağıtımı alanında ısıyı kaldırabilmek için bileşenler arasında yeterli güç izi yollarının sağlanması.


Yüksek Kapasiteli Demir Alaşımlı Boğucu Bobinler
En istikrarlı güç iletimini sağlamak için 60A güce kadar yükselir.

* Gerçek bileşen özellikleri modele göre değişebilir..

 

 

İçerde ve Dışarda, Soğutma Gücü
   

GIGABYTE
Ultra Durable ™ 5 anakartlar, Düşük Zararlar, Yüksek Verimlilik ve Mükemmel
Termal Yönetim ile endüstrinin en yüksek 60A gücü özelliğine sahip IR3550 PowIRstage ® IC kullanmaktadır.



Düzenleme ve ambalajlama tüm güç yolları için tel bağlar yerine bakır bağlantıları kullanır, çınlama ve yüksek AC kayıplara neden olan yüksek elektriklenme gibi yüksek dirençli tel bağları da zararın azaltılmasını sağlar.

MOSFET’ler arasındaki güç bağlantıları kayıpları azaltmak ve ısıyı yaymak için oldukça düşük kayıplı bakır kullanır
International Rectifier tarafından uzmanlaşmış MOSFET sürücüsü IC.
Yüksek yan MOSFET (Kontrol FET) çok düşük geçitli yüke sahiptir. Düşük yan MOSFET (SyncFET) daha yüksek verimlilik için entegre bir Schottky Diode içerir.
Akım hem kontrol FET (Çalışma döngüsü AÇIK) veya Sync FET (Çalışma döngüsü KAPALI) ve bakır klip yoluyla cihazın altından çok kısa yollara sahiptir. Bu cihazın çok dayanıklı ve 60A güce dayanabilmesinin bir başka nedenidir.
Özel Bakır çerçeve ısıyı silikondan uzak tutar.
Geleneksel İşlemci Güç Bölgesi Tasarımı

PWM kontrolör
MOSFET Sürücüler
Geleneksel Yüksek ve
Düşük yan MOSFET'ler
Bobin
Kapasitör
İşemci
 
İşlemci Güç Bölgesi Soru&Cevap
 
İşlemci Güç Bölgesi Nedir?
İşlemci Güç Bölgesi işlemciye güç sağlamaktan sorumlu bir anakartın çeşitli bileşenlerini içerir. (PWM kontrolör, MOSFET Sürücüleri, yüksek ve düşük yan MOSFET'ler, Bobinler, Kapasitörler ve ilgili devreler)

MOSFET nedir?
MOSFET elektrik akımının işlemciye akmasına ilk izin veren veya izin vermeyen bir anahtar olmasından dolayı, işlemci güç bölgesinin en kritik bileşenlerinden biridir. Bu anahtar görevi, MOSFET sürücüsü ve PWM kontrolörü tarafından kontrol edilir. Aynı zamanda elektrik tasarımının en pahalı bileşenlerinden biridir.

Güç Aşaması nedir ?
Güç Aşaması bir MOSFET sürücü, 1 yüksek yan MOSFET ve 2 (veya bazen 1) Düşük Yan MOSFETler içeren bir yongadır. Güç Aşamaları daha ileri bir üretim süreci kullanılarak yapılır ve bu nedenle daha verimlidir.

Geleneksel MOSFET (D-Pak MOSFET olarak bilinen ...) nedir?
Geleneksel Bir MOSFET , MOSFET sürücülerin ve Yüksek ve Düşük Yan MOSFET'lerin her birinin ayrı yonga olduğu (çoklu-yonga MOSFET tasarımı) geleneksel bir işlemci güç bölgesinde kullanılan daha az gelişmiş bir MOSFET tasarımıdır. Bunlar tek yongalı Güç Aşamalarından daha az pahalı ve daha az verimlidir.
 
 
 
 
Tek Ambalaj Tasarımı

IR, ısı kapasitesini ve PowIRstage düzenini iyileştirerek, DirectFET ® için geliştirilen dünya sınıfı paketleme teknolojisini diğer MCM paketlerinin önemli ölçüde üzerine çıkarmıştır.


 
Tek Ambalaj Tasarımı*
vs.
Çoklu-Yonga Tasarımı         
   
 
Yüksek Yan MOSFET
 
Sürücü IC
 
 
Düşük Yan MOSFET
* Patent İşlemleri Sürüyor
 
Diğer MOSFET düzeni uygulamaları, önemli anakart taşınmazını ele alarak ve daha fazla elektrik kaçağı oluşturarak; yüksek- düşük yan MOSFET'lerin ve sürücü IC’nin çoklu-çip, yan-yana düzenlemesini kullanır.
Yüksek Yan MOSFET
(Geleneksel MOSFET)
 
Düşük Yan MOSFET
(Geleneksel MOSFET)
 
Sürücü IC
(MOSFET Sürücü)
   
 
 
 
 
   
Power Stage
(IR3550 PowIRstage® olarak da bilinir


)
Düşük RDS(on) MOSFET (Ultra Durable™ 4 Tasarımı)
(WPAK, PowerPAK MOSFET olarak da bilinir...)
 
8 pinler
(4 right, 4 left)
Geleneksel Gerilim Besleyici Tasarımı (D-Pak MOSFET olarak da bilinir...)
 
3 pins
(1 sağ, 2 sol)
 
Nesneler arasındaki boyut oranı sabittir
 
 
 
 
International Rectifier tarafından Geliştirilen Sürücü IC

IR3550 PowIRstage ® IC'ler, MOSFET çifti için mükemmel ayarlanmış bir uzman MOSFET sürücü IC bulundurmaktadır. Birçok Sürücü MOSFET şirketleri sürücüleri diğer şirketlerden kullanır, böylece sürücüler gerçekten MOSFETler için optimize edilmez. Yarı paketlenmiş Sürücü + MOSFET ile IR, bu modülü optimize etmek için büyük verimlilik sağlayarak bu sürücüyü tasarlamıştır.

 
   
IR3550 Güç Aşaması X-ray resmi    
 
IR3550 Güç Aşaması Dekapsulasyon resmi   
 
 
 
 
Tam Soğutma, Ultra Verimli, Ultra Performans
Yüksek Verimlilik = Düşük Güç Kaybı = Daha az ısı = Daha uzun ömürlü
 
 

IR’in IR3550 PowIRstage ® modeli daha fazla güç verimlidir ve daha uzun
bileşen ömrü ve daha yüksek overclock performansı için daha fazla baş odayla
neticelenerek rakip MOSFETlerden daha serin çalışır.



 
Geleneksel MOSFET
IR3550 PowIRstage®
 
 
     
*Test sonucu sadece referans içindir. Sonuçlar sistem yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir.
*4 phase IR3550 PowIRstage® with 2x Copper PCB vs. 4 phase traditional MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink.
 
 
 

IR3550
PowIRstage ® IC'ler daha fazla güç verimliliğine sahiptir ve 60A kadar güç
verebilen endüstrinin en yüksek oy alan MOSFET’leridir. Bu, daha istikrarlı
çalışma ve daha iyi overclock performansı için, işlemciye en iyi güç iletimini
sağlar.


 
16 Geleneksel MOSFET'ler Çalışırken
4 PowIRstage® ICs'ler Çalışırken
 
   
 
up to
30°C
Lower
 
 
 
 

 

IR3550 PowIRstage ® IC'ler, operasyonda soldaki
16 geleneksel MOSFET’lerin yaptığı gibi,4 PowIRstage ® de sağda aynı iş yükünü
yapıyor olsa bile çok verimlidir, onların sıcaklığı hala 30 °C’ye kadar geleneksel
MOSFET tasarımından daha soğuktur.
 
 
*Test sonucu sadece referans içindir. Sonuçlar sistem yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir.
Configuration: Intel Core™ i7-3770K CPU, Default CPU frequency (3.5GHz), 1.2V Vcore, Default BIOS setting, DDR3 1333MHz, 500W PSU, CPU water cooling with no MOSFET heatsink. Software: Microsoft Windows® 7 running Power Thermal Utility at 100% loading.
 
IR3550 PowIRstage ® IC’ler diğer MOSFET tasarımlardan
daha serin kalarak kullanıcıların daha yüksek seviyelerde overclock performansı
yapabilmelerini sağlar. Her güç bileşeni bir maksimum termal çalışma
sıcaklığına sahiptir, ve bir kere ulaştı mı daha fazla voltaj eklemek sadece
başarısız bir overclock ile sonuçlanacaktır. IR3550 PowIRstages ® geleneksel
tasarımlardan daha yüksek voltajlarda ve daha soğuk ısılarda çalışabildiklerinden
beri, overclock yapanlar yüksek hız aşırtma potansiyeli ile sonuçlanan, gerilimi
artırmak için daha fazla boş alana sahip olabiliyorlar.
Düşük ısı = Yüksek Hız Aşırtma
MOSFET Hız Aşırtma İstikrarı
Yüksek ısı
Hız aşırtma için
yetersiz güç
IR3550
PowIRstage®
En iyi
Lower RDS(on)
MOSFET

(WPAK, PowerPAK MOSFET olarak da bilinir...)
İyi
Geleneksel MOSFET
(D-Pak MOSFET olarak da bilinir... )
OK
 
 
 
 
Industry Leading Peak Efficiency up to 95%*
 
 

IR3550 PowIRstage® ICs are more efficient, with peak efficiency up to 95%, during normal operation.

Even at higher Current levels, IR3550 PowIRstage® ICs are able to maintain lower power losses. Lower power loss also means less heat as a byproduct.

 
 
 
*Test sonucu sadece referans içindir. Sonuçlar sistem yapılandırmasına göre farklılık gösterebilir..
VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3, 400LFM havaakımı, soğutucu olmadan, 25°C ortam ısısı, ve 3.7" (L) x 2.6" (W) 8-katmanlı PCB.
 
Current Typical MOSFET Designs
         
 
Power Stage
(IR3550 PowIRstage® olarak da bilinir


)
Üst Düzey Maliyet
 
En Yüksek Verimlilik
En Düşük Isı
 
Düşük RDS(on) MOSFET
(WPAK, PowerPAK MOSFET olarak da bilinir...)

Yüksek Maliyet

 
Yüksek Verimlilik
Düşük Isı
 
Geleneksel MOSFET
(D-Pak MOSFET olarak da bilinir...)
Düşük Maliyet
 
Düşük Verimlilik
Yüksek Isı
 
 

 

 

İçerde ve Dışarda Kalite
GIGABYTE Ultra Durable ™ anakartlarda kullanılan bir çok yüksek kaliteli bileşenler dışardan görünmüyor olsa da, emin olun ki daha iyi verimlilik, daha fazla güç tasarrufu, düşük sistem sıcaklıkları, daha iyi overclock performansı ve uzun uzun bir sistem ömrü sağlamak için çalışıyoruz. GIGABYTE Ultra Durable ™ garantisi budur.
PCB (Baskı Devre Kartı)
2x bakır PCB = 2 ons bakır PCB = bakır katmanın ağırlığı
30.48 cm x 30.48 cm (1 metrekare) PCB 56.7 g'dır.
Bakır Katman Kalınlık
2x Bakır 0.070mm (70 µm)
1x Bakır 0.035mm (35 µm)
 
High Capacity
Ferrite Core
Choke
 
Katı Kapasitör 
   
Power Stage
 
2x Copper
Inner Layer 
Sinyal Katmanı
   
Güç Katmanı
   
     
Yeni Cam Yapıda
   
Toprak Katmanı
   
Sinyal Katmanı
   
     
     
* Gerçek bileşen özellikleri modele göre değişebilir.
 
56,7 gr Bakır PCB Tasarımının Faydaları
 
 
Daha Düşük Sıcaklık
Daha iyi
Hız aşırtma
Daha iyi
Güç verimliliği
2x Daha Az
Özdirenç
Düşük EMI
2x Daha Az
Özdirenç
 
GIGABYTE'ın özel 2X Bakır PCB tasarımı normal güç yüklerini daha fazla işlemek ve kritik CPU güç dağıtımı alanından ısıyı uzaklaştırmak için bileşenler arasında elverişli güç dağıtım yolları sağlar. Bu, anakartın hızaşırtma durumu sırasında gerekli olan artan güç yüklemesinin üstesinden gelebilmesi için önemlidir.
 



Bu sayfayı Facebook ve Twitter üzerinde paylaşın:  
Sınırsız telif hakkı ve ticari marka ile ilgili tüm ve türev çalışmalar dahil tüm fikri haklar
GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD şirketinin lisanslı malıdır. İzinsiz kullanım kesinlikle yasaktır.